蝕（shí）刻（kè）機與光刻機之間（jiān）有什麽不同之處？

蝕刻機與光刻機的區別在於：光刻機會將圖案印製到材料上，然後蝕（shí）刻機根據這個圖（tú）案去除相應區域（無論（lùn）是有圖案的還（hái）是沒有圖案的部分），保留其它部分。與光刻相比，蝕刻操作相對簡單。可（kě）以把在矽晶體上進行加工（gōng）比作木匠的工作：光刻機相當於木（mù）匠在木材上用墨鬥劃線，而（ér）蝕刻機則像木匠使用鋸子、鑿子、斧頭和刨子等工具來進行（háng）加工。雖然蝕刻機和光刻（kè）機在性質上是類似的，但對精度的（de）要求卻差異很大。木匠的精細工作通常隻需達到毫米級（jí）別，而用於芯片製造的蝕刻機和光刻機（jī）則必須達到納米級別。比如，現在（zài）的手機芯片采用的是台積電的10納米技術。10納米有多小呢？假設將一根直徑為0.05毫米的頭發絲平均分成5000段，那麽每一段的厚度大致就是10納米。
光刻機，也稱為掩模對準曝（pù）光機、曝（pù）光係統或光刻係統，是一種重要的設備。一般的光刻工藝包括以下步驟：清洗和烘幹矽片表麵、塗覆底層、旋塗光刻膠、進行軟烘、對（duì）準曝光、後烘、顯影、硬烘以及刻蝕等過程。
光刻是指利用光線製作圖形的工藝。首先在矽（guī）片表麵均勻塗布光刻膠，然後將掩模上的圖形（xíng）通過光線轉印到光刻膠上，這一過程相當於將器件或電路結構暫時“複製”到矽片上。