蝕刻機與光刻機之間有什麽不同之處？

蝕刻機與光刻機的區別在於：光刻機會將圖案印製到材料上，然後蝕（shí）刻機（jī）根據（jù）這（zhè）個圖案去除相應區域（無論（lùn）是（shì）有圖案的還是沒有圖（tú）案的部分（fèn）），保留其（qí）它部分。與光刻相比，蝕刻操（cāo）作相對（duì）簡單。可以把在矽晶體上進行加工比作木匠的工作：光刻機相當於木匠在木材上用墨鬥劃線，而蝕刻機則（zé）像木匠使用鋸子、鑿子、斧頭和刨子等工具來進行加工。雖然蝕刻機和光刻機在性質上是類似的，但對精度的要求（qiú）卻差異很大。木匠的精細工（gōng）作通常隻需達到毫米級別，而用於芯片製造的（de）蝕刻機和光刻機則必須達到納米級別。比如，現在的手機芯片采用的是台積電的10納米技術。10納米有（yǒu）多（duō）小呢（ne）？假設將一根直（zhí）徑為0.05毫米的頭發絲平均分成5000段，那麽每一段的厚度大致就是（shì）10納米。
光刻機，也（yě）稱為掩模對準曝光機、曝光係（xì）統或（huò）光刻係統，是一種（zhǒng）重要的設備。一般的光刻工藝包括以下（xià）步驟：清洗和烘幹矽片表麵、塗覆底層、旋塗光刻膠、進行軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘以及刻（kè）蝕等過程。
光刻是指利用光（guāng）線製作（zuò）圖形的工藝。首先在（zài）矽片表麵均勻塗布光刻膠，然後將掩模上（shàng）的圖形通過光線轉印（yìn）到光刻膠上，這一過程相當於將器件或電路結構暫時“複製”到矽片上。