等離（lí）子蝕刻機工（gōng）藝說明

等離子蝕（shí）刻機蝕刻加工可分為兩（liǎng）個（gè）全過程：，等離子裏的有機化學活性組分，這種活性組分與液體原材料化學物質發生反應，形成揮（huī）發物化學物質，同時向表麵（miàn）擴散、排出來。以CF4為例子，其電離度物F與S反應生成SiF4汽體，在含Si原材料的表麵形成微切削構造（zào）。等離子蝕刻加工就是指正離子蝕刻（kè）加工、磁控濺射蝕刻加（jiā）工和等離子（zǐ）灰化等過程。
等離（lí）子蝕刻機改性材料深度在於底材環境溫度、等待時（shí）間各種材料蔓延特點，而改性材料的種類在於底材和工藝指標。等離子（zǐ）隻有在（zài）表麵上蝕刻加工好多個μm深，其表麵特性出現了改變，但大部分原材料表麵特性仍然能夠維持。該（gāi）方（fāng）法（fǎ）還可用於表層清理、幹固、鈍化處理、更改吸水性和黏附性等，一樣（yàng）可用於半導體集成電路的（de）製造過程中（zhōng），還可（kě）以（yǐ）在光學顯微鏡下注意到試品變（biàn）軟。化學變化能通過（guò）有機化學（xué）磁控濺射造成揮發物物（wù）質。常（cháng）見氣體包含Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機化學（xué）蒸汽等。可（kě）塑性無機化合物磁控濺射比具（jù）備化學變化的等離子磁控濺射（shè）更貼近（jìn）物理現象。
在蝕刻中，密度高的等離子源具備很多特點，能夠更準確地操縱產品工件規格（gé），蝕刻加（jiā）工率更高，原材料可選擇性（xìng）更（gèng）強。多層的等離子源能在低壓下運行，因此（cǐ）能變弱鞘層（céng）震蕩。在（zài）芯（xīn）片的蝕刻加工（gōng）環節（jiē）中，選用高密度的（de）等離子源蝕刻（kè）技術（shù），必須運用單獨的（de）微波射頻源對圓晶開展閾（yù）值電壓，使能量和正離子互不相關。因為離子的（de）動能一般在幾個電（diàn）子伏數量（liàng）級，因（yīn）此當正離子進到負鞘層（céng）後，根據動能加快會達到幾百（bǎi）電子伏，而且具有較高的導向性，從而使得正離子蝕刻加工具備各種各樣。